經曝光后，光致抗氮吹儀價格蝕劑層中一部分發生了光交聯或光降解，因而使其溶解性 發生了變化。選擇適當的溶劑，把光刻膠層中可溶性部分溶解掉，使不溶性部分 保留下來，這就在光刻膠層上顯示出了與掩模相應的圖案，或者說把掩模上的圖 案復制到了光致抗蝕劑層上來。這一步就稱為顯影，這是從普通照相術中引用 過來的術語。顯影這步的關鍵在于選擇適當的顯影液、顯影溫度和顯影時間。 這三個因素是彼此關聯，相互影響的，而且隨光刻膠的種類、特性及膠層的厚度 不同應有所改變的，一般需通過條件試驗摸索出來。 　　顯影以后需進行漂洗，把殘留在膠層表面的顯影液漂洗干凈。良好的漂洗 　第二講　光刻技術和光致抗蝕劑３９９ 還能消除在顯影過程中光刻膠的溶脹和形變，從而改善成像的精度。 　　６．堅膜 　　經過顯影后，不溶性的光刻膠部分雖然保留了下來，但由于顯影液的浸泡而 變軟，甚至有些溶脹和微小變形，膠層與基材間的粘著力也降低了。因而需要在 １

８０～２００℃溫度下烘烤３０ｍｉｎ左右，把滲入到膠層中的微量顯影液或水分趕 走。使光刻膠層上的圖形恢復原來的尺寸。并使光刻膠本身進一步熱交聯，提 高光刻膠本身的強度和耐腐蝕性。同時也改善光刻膠與襯底間的粘著強度。這 一步稱為堅膜，也稱為后烘。 　　堅膜時應注意控制合適的溫度和時間。若堅膜溫度太低，時間過短，則膠膜 沒有烘透，膜不堅固，腐蝕時易產生脫膠現象。若堅膜溫度過高，時間過長，膠膜 會因熱膨脹而產生翹曲和剝落，腐蝕時亦會造成鉆蝕或脫膠。堅膜最好采用緩 慢升溫和自然冷卻的烘烤過程。對于腐蝕時間較長的厚膜刻蝕，可在腐蝕一半 后再進行一次堅膜后再腐蝕，以提高膠膜的強度和抗蝕力。 　　７．蝕刻 　　蝕刻又稱腐蝕，是光刻技術中關鍵的一步。前面所述各步都是為這一步做 準備，是為這一步服務的。光刻技術的目的就是要在被加工的襯底材料（如硅 片）表面刻制出指定的圖案，以便進行后道加工，而這種刻制工作是通過選擇性 腐蝕來進行的，利用光致抗蝕劑的抗腐蝕作用，可以保護襯底材料不受腐蝕。通 過前面述及的各步，人們已經在需刻蝕的基片表面的光致抗蝕劑層上成功地制 得了特定的圖案。現在基片表面一部分區域中有光致抗蝕劑保護的，而其余部 分則是沒有抗蝕劑保護的。選擇某種合適的腐蝕劑，能腐蝕基片材料，但對抗蝕 劑不起作用，把經顯影、堅膜后的

基片置于這種腐蝕液中，就可實現選擇性的腐 蝕，把抗蝕劑層上的圖案復制到基片上。這一步就稱為蝕刻。 　　腐蝕的關鍵首先在于選擇合適的腐蝕劑。腐蝕劑必須能對被蝕刻材料進行 腐蝕，但對抗蝕劑不起作用。這是最基本的必要條件，除此以外還應考慮到對設 備的腐蝕性，對操作工人的完全保護以及操作的簡單易行等因素。在選定了腐 蝕劑化學配方后，還應根據刻蝕的具體要求選定合適的工藝條件，主要是刻蝕劑 的濃度，刻蝕時的溫度以及刻蝕的時間。這些都是為了控制一個合適的腐蝕速 率。另外人們希望腐蝕時只在被刻蝕表面上垂直向內部縱深腐蝕，而應盡量避 免側向腐蝕，以及向抗蝕劑膠膜保護下的部分進行鉆蝕，因為側向腐蝕和鉆蝕都 將使蝕刻圖形的線條變寬，精度降低。一般常用腐蝕因子Ｆ來表示腐蝕的質 量：Ｆ＝（腐蝕深度）／（側向腐蝕寬度）。如Ｆ值大則表明腐蝕效果良好。一般Ｆ 值在０．５～２．５范圍間，通常Ｆ＝１時即可用于實際生產。 　　腐蝕劑的選擇因被腐蝕材料的不同而不同，例如，腐蝕硅用硝酸和氫氟酸的 混合液；腐蝕二氧化硅用氫氟酸與氟化銨的混合液；腐蝕鋁用磷酸或高錳酸鉀；